技术编号:8432167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。根据应用设备的尺寸和容量近来变大的趋势,对具有高击穿电压、高电流和高速开关特性的电力用半导体装置的需求持续增加。在半导体装置当中,碳化硅(SiC)半导体装置可具有优点。例如,由于碳化硅半导体装置比常规的硅(Si)半导体装置具有更宽的带隙,因此可在高温更稳定地实施半导体特性。然而,在升高的温度可能额外地需要稳定地应用包装材料,以获得相当高温的操作效果。特别地,由于用于接合半导体装置的常规焊料具有小于约230°C的熔融温度,所以焊料无法在可应用和操作碳化硅半导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。