技术编号:8432203
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。外延生长装置广泛地使用作为用于形成在例如硅晶片的表面上的单晶层(外延层)的装置。在单个晶片型外延生长装置中,当将源气体引入在其中水平地放置有晶片的室中时,执行加热以获得预定的温度,因而使外延层生长。晶片需要在范围为从1000至2000摄氏度的高温下加热。将卤素灯用作加热源。将许多卤素灯布置在室的上和下部分中。在室的上部分,提供高温计以测量晶片的表面温度。高温计设计为通过从待测量的物体接收热辐射能来测量温度。因此,使在高温计和待测量的物体之间一定不存在障碍或...
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