技术编号:8432244
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体制作技术的飞速发展,半导体器件为了达到更快的运算速度、更大的资料存储量以及更多的功能,半导体芯片向更高集成度方向发展。而半导体芯片的集成度越高,半导体器件的特征尺寸(⑶Critical Dimens1n)越小。当半导体器件的特征尺寸越来越小时,相邻的互连结构之间的距离变得越来越小,使得相邻的互连结构之间产生的电容越来越大,该电容也称为寄生电容,影响半导体器件的RC延迟效应,所述寄生电容不仅影响芯片的运行速度,也对芯片上的半导体器件的可靠性有严重影...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。