技术编号：8432245
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造中，随着设计尺寸的不断缩小，光的衍射效应变得越来越明显，它的结果就是最终对设计图形产生的光学影像退化，最终在硅片上经过光刻形成的实际图形变得和设计图形不同，这种现象被称为OPE (Optical Proximity Effect,光学邻近效应)。为了修正OPE 现象,便产生了 OPC (Optical Proximity Correct1n,光学邻近效应修正)。OPC的核心思想就是基于抵消OPE现象的考虑建立OPC模型，根据OPC模型设计光掩模...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。