技术编号:8432316
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体中,由于在半导体衬底(晶圆)的顶面侧(即,上表面)存在金属互连结构,因而无法在半导体衬底的背面侧(下表面)进行金属硅化物(saclicide)制程,这就导致了在半导体衬底的背面侧的接触孔(contact)的接触电阻往往很高,造成RC延迟严重,直接影响了半导体器件的性能。随着对提供器件集成度的要求越来越迫切,如何实现在半导体衬底的顶面侧形成器件的同时在半导体衬底的背面集成器件并降低背面侧的接触孔的接触电阻,已经成为半导体产业界亟待解决的技术问题。为了...
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