技术编号:8432319
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。某些半导体器件易受过电压状况影响,这种过电压状况会导致对器件和/或周围电路的损坏以及/或者对其产生其他不期望的影响。发明内容在一些实施方式中,本公开涉及半导体裸芯,其包含娃基底(substrate)、具有布置在所述基底上的集电极区、发射极区、基极区和子集电极区的双极型晶体管、和硅通孔(through-silicon via,TSV),该娃通孔位于所述子集电极区的35 μπι内,以便将所述双极型晶体管的峰值电压钳位于电压极限电平处。该TSV可以布置为与所述双...
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