技术编号:8432320
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着特征尺寸的持续降低,半导体器件越来越容易受到硅基底中杂质或缺陷的影响,单一二极管或MOS晶体管的失效往往会导致整个集成电路芯片的失效。为了解决所述问题,提高成品率,在集成电路芯片中往往会形成一些冗余电路。当制作工艺完成后发现部分器件不能正常工作时,可以通过电熔丝结构的熔断将失效电路与其他电路模块电学隔离,并利用冗余电路替换原来的失效电路。特别是在存储器的制造过程中,由于存储器单元的数量很多,难免会有部分存储器单元失效,因此往往会额外形成一些冗余的存储器...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。