技术编号:8432327
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明涉及半导体,具体而言涉及。背景技术 在半导体中,随着半导体工艺的不断发展,为获得较高的装置密度、效 能和较低的成本,半导体器件的制造往往采用三维设计,例如采用鳍型场效晶体管(fin field effect transistor,以下可简称FinFET)。此外,为了提高半导体器件的性能,高k 金属栅极技术也开始得到越来越广泛的应用。 当前,越来越多的半导体制造厂商开始同时采用高k金属栅极技术和鳍型场效应 晶体管技术来制造半导体器件,在制得的半导体器...
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