技术编号：8432335
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。目前市场上双向保护的ESD器件较多，但两个方向的性能基本都不是对称的。主要原因在于，目前的双向保护ESD器件大多都采用图1所示的NPN型的三极管结构来实现。该三极管包括N+衬底10、N-外延层11、P+阱区12、N+发射区13、介质层14和电极15。其中，N-外延层11位于N+衬底10上，P+阱区12形成在N-外延层11内，N+发射区13形成在P+阱区12内，介质层14内形成有接触孔，电极15位于该接触孔内并且和N+发射区13电接触。N+衬底10作为三极管...
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