技术编号：8432359
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一些半导体器件具有非易失性存储单元，其每一个用于存储例如在从故障中恢复过程中或例如LCD (液晶显示器)图像调整的修整过程中使用的信息，或诸如其内部的半导体制造编号的相对较小容量的信息。这样的非易失性存储单元的示例包括由多晶硅等的导体膜形成的非易失性存储单元。日本未审专利公布N0.2007-110073(专利文献I)公开了这样的由多晶硅等的导体膜形成的非易失性存储单元。在专利文献I中公开的非易失性存储单元中，由多晶硅等的导体膜制成的浮栅电极经由栅极绝缘膜形...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。