技术编号:8435968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,尤其涉及包含利用固相扩散形成深的扩散区域的工序的。背景技术一直以来,作为大电流、高耐压元件,使用晶闸管等的双极型半导体元件,但是,一般而言晶闸管的阴极区域的形成,从处理大电流的关系出发需要使杂质扩散至半导体衬底的深处的扩散处理,一直以来,在半导体衬底上形成成为杂质的扩散源的高浓度杂质层后,利用热处理使杂质从该高浓度杂质层扩散至半导体衬底的规定的区域而形成深的阴极区域。图14是说明现有的晶闸管的图,图14(a)不意性地表不晶闸管的等效电路,图14...
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