技术编号:8439542
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及研磨/抛光领域,尤其是一种主动控制反应条件方式的SiC材料高效抛光设备。背景技术SiC材料与第一代半导体材料(Ge和Si)、第二代半导体材料(GaAs、InP等)相比具有更优异的特性,成为第三代半导体材料。同时SiC具有优良的热导率,是制造大尺寸、超高亮度白光和蓝光GaN LED和激光二极管的理想衬底材料,成为光电行业的关键基础材料之一。SiC半导体器件具有超强的性能和广阔的应用前景,一直以来受到各国高度重视。理想的衬底材料基片质量要求SiC晶片...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。