技术编号：8441449
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。非易失性存储器用在各种商业和军事电子器件和装置中。阻变式随机存取存储器(RRAM)因为其结构简单和所涉及的与CMOS逻辑兼容的工艺技术而成为下一代非易失性存储器技术的最具前景的候选者。每个RRAM单元都包括夹置在顶电极和底电极之间的金属氧化物材料。这种金属氧化物材料具有可变的电阻，其电阻值与存储在RRAM单元中的数据状态对应。发明内容根据本发明的一个方面，提供了一种阻变式随机存取存储器(RRAM)器件，包括可变电阻介电层，具有上表面和下表面；阴极，设置在可...
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