技术编号:8447205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 绝缘栅场效应晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)具有输入阻 抗高、驱动功率小、耐高压大电流、开关速度快、饱和压降小等优点,因而广泛应用于中、大 功率开关电源中。实际工作过程中,IGBT经常会遇到各类故障,比如短路故障、过流故障、 驱动故障、VCE过压故障等。为了避免上述故障对IGBT器件的损坏,配合驱动电路还需要 有针对不同故障形式的保护电路。保护电路根据故障形式采取降栅压、软关断、打囑关断等 保护措施,同时需...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。