技术编号:8453056
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明属于二维薄膜材料制备,涉及。背景技术石墨烯作为一种新型的碳材料,具有优异的电学、热学、光学特性以及良好的结构柔性,这些优异的物理性质使石墨烯在超级电容器、高性能晶体管、超强和高导复合材料、柔性透明电极、锂离子电池以及传感器等方面展现出巨大的应用潜力。在过去的研宄中,化学气相沉积方法(CVD)被证实为最为可能大规模制备高质量石墨烯的方法。然而该方法的生长温度普遍过高(通常高于1000摄氏度),这大大阻碍了石墨烯的工业化生产与制备。在应用领域,少...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。