技术编号:8453467
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高纯三甲基铝广泛应用于生长半导体薄膜材料,是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)、化学束外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料。为了满足光电子材料高纯度、高精度的质量要求(纯度不够的三甲基铝会对芯片的性能产生很大的影响,对MOCVD设备也会有很大的损害),要求高纯三甲基铝的纯度达到99.9999%,否则就需要进一步提纯。中国发明专利申请CN102020668A公开了一种工业化制备三甲基铝的方法,在充满惰性气体的反应釜中,投入铝镁合金原料,在乙醚、四...
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