技术编号：8456826
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在半导体制造过程中，光刻工艺作为每一个技术代的核心技术而发展。在标准CMOS工艺中，需要用到数十次的光刻步骤，而影响光刻工艺误差的因素，除了光刻机的分辨率之外，还有对准的精确度。也就是说，每一层必须达到和前层在一定范围内的对准，即套刻(overlay，OVL)精度需满足设计需求。如图1所示，现有技术中，套刻测量是利用测量设备抓取套刻标记I的边界信号2，从而获悉对准是否精确。在光刻部分制程需要用厚度比较厚的光阻来做阻挡层，统称为厚光阻层，厚光阻层在光阻打开的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。