技术编号:8458285
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 随着集成电路的发展,现代的CMOS芯片通常在一块普通的硅衬底材料上集成数 以百万计的有源器件(即NMOS晶体管和PMOS晶体管),然后通过特定的连接实现各种复杂 的逻辑功能或模拟功能,而除了这些特定的功能以外,在电路的设计过程中,通常假设不同 的器件之间一般是没有其他的互相影响的。因此在集成电路制造中必须能够把器件隔离开 来,这就需要隔离技术。 随着器件向深亚微米发展,隔离技术由局部氧化(Local Oxidation of Silicon, LOCOS...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。