技术编号:8458295
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体技术的不断发展和摩尔定律的延续,对器件性能的要求也越来越高,一些新结构和新器件开始被广泛研究,如SOI器件和FinFet等,不同于传统器件可以利用沟道掺杂来调节功函数,在ET-SOI和FinFet等新型器件中一般保持沟道未掺杂,所以必须采用可调功函数金属栅。在ET-SO1、FinFet等器件中,功函数要求在带中附近,并为了满足不同电路的要求,如高性能、低操作功率以及低待机功率等,需要调节三个Vt (阈值电压),即低阈值电压(Low Vt)、中阈值...
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