技术编号：8458348
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。CMOS图像传感器阵列集成电路通常具有至少两种基本类型的晶体管具有P型掺杂多晶硅栅极的P型晶体管，及具有N型掺杂多晶硅栅极的N型晶体管。众所周知，可使用离子注入物来调整N型装置及P型装置的阈值。CMOS图像传感器阵列集成电路可具有N型晶体管及P型晶体管，所述N型晶体管及P型晶体管具有由经适当屏蔽注入物确定的两个或两个以上的阈值电压。用于CMOS图像传感器阵列的常见架构在传感器阵列内使用平铺单元(tilingunit)。此平铺单元具有耦接至一个或多个晶体管的...
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