技术编号:8458378
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在日本未审专利公开N0.2001-94098(专利文献I)中,描述了一种控制用于在使用碳化硅(SiC)作为构成材料的MOSFET中引起雪崩击穿的位置的技术。具体而言,在专利文献I中,外延层的表面层部分掺杂有作为不活跃离子种类的碳(C)并且掺杂有作为导电杂质的硼(B),由此以形成高浓度深基底层;因而,在高浓度深基底层处引起雪崩击穿。日本未审专利公开N0.7-58328(专利文献2)描述了下列技术在元件区域的内部中形成具有宽带隙的P型SiC层,该元件区域中形成...
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