技术编号:8458381
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路制造工艺方法,特别是涉及一种。背景技术通过深沟槽(trench)工艺制作超级结器件时,深沟槽的形貌至关重要。但是由于刻蚀工艺的限制,一般可获得的深沟槽形貌较差,侧壁角度较小。在沟槽较浅时,影响较小,但是在沟槽宽度也即对应的特征尺寸(⑶,Critical Dimens1n)小至5μηι以内,深达到40 ym以上时,沟槽斜角带来的顶部宽度(Top⑶)和底部宽度(Bottom⑶)的差异将会很大。对于器件反向击穿电压的提升非常不利。如图...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。