技术编号:8458393
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前硅太阳电池的发展趋势是朝电池更薄、效率更高的方向发展,但是当电池厚度小于少子扩散长度时,电池上下表面的缺陷对电池效率的影响更加显著,这部分的电学损失非常严重。另一方面,由于硅是间接带隙半导体材料,厚度的减小导致对入射光尤其是长波光的吸收减少,而且占入射光的很大一部分的大于娃截止波长的太阳光完全不能被娃电池吸收,这种光学损失很大。发明内容本发明的目的在于提出一种新的基于硅电池的上转换加场效应结构的太阳电池及其制备方法,其优点在于对设备要求较低,制造成本低...
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