技术编号：8458395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及薄膜太阳电池，特别是一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜锌锡砸太阳电池器件及其制备方法。背景技术铜锌锡砸材料(CZTS)属于1-1I1-VI族四元化合物半导体，具有黄铜矿的晶体结构。铜锌锡砸薄膜太能电池自20世纪90年代出现以来，首先被制得，此后，得到非常迅速的发展，并将逐步实现产业化。此电池有以下特点1)铜锌锡砸的禁带宽度约1.5eV ;2)铜锌锡砸是一种直接带隙半导体，对可见光的吸收系数高达15CnT1,铜锌锡砸吸收层厚度只需1.5-2....
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