技术编号：8458404
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体光电子器件，具体讲是一种具有窄光谱响应、可选择窄带通、高短波抑制比和低暗电流特性的新型GaN基PIN结构紫外探测器。背景技术紫外探测技术是继红外探测和激光探测技术之后的又一军民两用光电探测技术。作为红外探测技术的重要补充，紫外探测技术具有广泛的应用，例如导弹预警、精确制导、紫外保密通信、生化分析、明火探测、生物医药分析、海上油监、臭氧浓度监测、太阳指数监测等领域。GaN基三元系合金AlGaN，属于直接带隙半导体，随着合金材料中Al组分的变化...
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