一种GaN外延废片回收的方法技术资料下载

技术编号:8458413

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LED产业,作为一项新兴产业,已经对这个时代产生了重大的影响。在照明应用、背光应用、功率器件等众多领域,LED替代传统产业成为主流成为必然趋势。GaN材料是近年来最受关注的第三代化合物半导体。GaN材料为宽禁带直接带隙半导体,N系III/V族化合物均为直接带隙半导体,AlN/GaN/InN系列的三元或四元化合物,其禁带宽度从1.9eV到6.2eV,覆盖了从红外到紫外波长段。同时GaN材料热稳定性好,化学性质稳定,热导率高,GaN制作的器件性能也很稳定,这使...
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