技术编号:8460387
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 以往,使用A1 (电阻率约3. 1yD?_)作为半导体元件的布线材料,但随着布线 的微细化,电阻更低的铜布线(电阻率约1. 7yD?cm)得以实用化。作为铜布线的形成 工艺,多数情况下在布线或布线槽形成Ta、TaN等扩散阻挡层,然后电镀铜。为了进行该电 镀,作为基底层(晶种层),一般进行将铜或铜合金溅射成膜。以往,将纯度约4N(除气体成 分以外)的电解铜作为粗金属并通过湿式、干式的高纯度化工艺,制造5N~6N纯度的高纯 度铜,并将其作为溅射靶使用。但是,...
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