技术编号:8460394
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。(注意本专利申请案提及若干出版物和专利,如括号内数字所指示,例如,。 这些出版物和专利的列表可参见标题为"参考文献"的部分。) 氮化镓(GaN)和其相关第III族氮化物合金是各种光电子和电子装置(例如LED、 LD、微波功率晶体管和太阳盲光检测器)的主要材料。然而,这些装置中大多是在异质衬底 (或晶片)(例如蓝宝石和碳化硅)上外延生长,这是因为GaN晶片与这些异质外延衬底相 比极其昂贵。第III族氮化物的异质外延生长产生高度缺陷或甚至碎裂的薄膜,这会妨碍 ...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。