技术编号:8460396
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。(注意本专利申请案参考如通过括号内的数字(例如)所指示的若干公开案 和专利案。这些公开案和专利案的列表可见于标题为"参考文献"的部分中。) 氮化镓(GaN)和其相关第III族氮化物合金是各种电子装置(例如微波功率晶体 管和日盲式光检测器)的重要材料。然而,这些装置中的大多数外延生长于异质衬底(或 晶片)(例如蓝宝石和碳化硅)上,因为GaN晶片与这些异质外延衬底相比极为昂贵。第 III族氮化物的异质外延生长导致高度缺陷或甚至破裂的薄膜,从而阻碍获得高端电子装...
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