技术编号:8460845
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本公开涉及具有碳化硅半导体层的半导体装置、以及使用该半导体装置的逆变 器。背景技术 近年,利用碳化硅半导体的功率器件的开发盛行。碳化硅(SiC)是与硅(Si)相比 带隙更大的高硬度的半导体材料。碳化硅具备比硅高1位的绝缘击穿电场强度。故而,通 过使用碳化硅,较之于使用硅的情况,能制造具有相同的耐压且体积更小的半导体装置。通 过使用碳化硅,较之于使用硅的情况,能使作为电阻分量的构成更小,因此能降低半导体装 置的导通电阻,降低电力损耗。另外,碳化硅半导体装置...
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