技术编号:8463151
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。可以通过例如在单质硅(Si)衬底上生长高品质的II1-V半导体或者在Si衬底上生长IV族半导体来实现各种电子和光电子器件。能够实现II1- V或IV材料的性能优势的表面层可以支撑各种高性能电子器件,例如由极高迀移率材料制造的CMOS和量子阱(Qff)晶体管,极高迀移率材料例如但不限于锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)Jf (Ge)、和硅锗(SiGe)。诸如激光器、检测器和光伏的光学器件也可以由各种其它直接带隙材料制造,所述材料例如但不限于砷化镓(GaA...
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