技术编号:8463152
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对非单晶半导体扫描直线束形的脉冲激光并进行多次重叠照射从而实现非晶膜的结晶化或结晶膜的改性的激光退火方法以及激光退火装置。背景技术通常用于TV或PC显示器的薄膜晶体管由非晶(amorphous)硅(下面称为a_硅)构成,但通过以某些手段使硅结晶化(下面称为P-硅)而利用,可以显著提高作为TFT的性能。目前,作为低温下的Si结晶化工艺的准分子激光退火技术已被实用化,被频繁利用于面向智能手机等小型显示器的用途,针对大屏幕显示器等的实用化正进一步实现。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。