技术编号:8463176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。过去几十年中,集成电路中的特征的缩放已经实现了半导体芯片上的功能单元密度的增大。例如,缩小晶体管尺寸允许在芯片上包含更大数量的存储器器件,从而制备出具有增大的容量的产品。在集成电路器件的场效应晶体管(FET)的制造中,除了硅以外的半导体晶体材料会是有利的。一个这种材料的示例是Ge,其相对于硅提供了许多可能的有利特征,例如但不限于高电荷载流子(空穴)迀移率、带隙偏移、不同晶格常数以及与硅构成合金以形成SiGe的半导体二元合金的能力。在现代晶体管设计中使用Ge...
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