半导体器件的制造方法技术资料下载

技术编号:8474056

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日本未审查专利申请公告No. 2001-105968公开了一种技术,其中在通过使用非 氰化物电镀液的电解镀金技术形成金凸块电极的步骤期间监测给电镀液施加的电压,因此 检测加入到电镀液的铊的量,以抑制由于减少加入铊的浓度引起的诸如不规则沉积的差电 镀质量的发生。发明内容 已有在通过电解镀金工艺在半导体衬底的主表面上形成的电极(在下文中称为 电沉积金电极)的半导体器件的外观检查中发现的关于不规则外观的大量报告。然而,关 于不规则外观的大多数这种报告是错误报告...
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