技术编号:8474142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。目前,在液晶面板的像素设计中,像素的存储电容是利用共通电极和像素电极之间电容形成存储电容。为了增大存储电容,通常会增大漏极在共通电极上的面积。现有技术阵列基板的制备过程包括如下步骤第一步、在透明基板上,沉积金属薄膜,在该金属薄膜上刻蚀出栅极和共通电极。第二步、形成栅极绝缘层。第三步、沉积非晶硅薄膜,在该薄膜上刻蚀出图案,形成非晶硅半导体层。第四步、沉积金属薄膜,在该金属薄膜上形成金属层,所述金属层包括数据线和源漏极。第五步、涂覆钝化层,形成过孔。第六步、沉...
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