技术编号:8474205
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在LED芯片制备工艺中,蓝宝石衬底作为GaN基LED外延生长的主要衬底,其导电性和散热性都比较差。由于蓝宝石衬底导电性差,传统的GaN基LED采用横向结构,导致电流堵塞和发热。较差的导热性能限制了发光器件的功率。为了提高GaN基LED的光效和功率,提出了激光剥离蓝宝石衬底技术,即在蓝宝石衬底上制备外延层之后,将外延层与支撑基板结合,然后采用激光剥离方法去除蓝宝石衬底,对芯片表面进行粗化,并对管芯进行去边,然后制作电极,最后切割,将器件做成垂直结构。现有的一...
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