技术编号：8474223
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于微电子，具体涉及一种基于氧化铪/氧化钛叠层结构的低功 耗阻变存储器。 技术背景 阻变存储器由于具有较快的擦写速度、较长的保持时间、有多值存储的潜力以及 优越的可缩小性，最近几年来受到了研宄人员的广泛关注。随着阻变机理不断提出、新型结 构改进设计、新型材料逐渐应用，研宄人员正在追求更快的读写速度、更高的集成密度、更 长的保持时间，使阻变存储器能在各项参数上超过FLASH存储器，进而取代FLASH存储器。 阻变存储器的结构为简单的金属-绝缘层-金属...
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