技术编号:8476996
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本揭示案是关于等离子体反应器中的处理气体分布,该等离子体反应器用于处理工件,例如半导体晶圆。背景技术等离子体反应器的腔室中的处理气体分布的控制会影响在等离子体处理期间工件上的沉积速率分布或蚀刻速率分布的处理控制。气体注入喷嘴可位于腔室的周边与中心处。所期望的是控制在腔室中心处与周边处两者的气体注入。一个问题是控制处理气体流动速率的径向分布的系统通常无法控制处理气体流动速率的方位角分布。当在此说明书中使用时,术语“方位角”是指圆柱形处理腔室中的圆周方向。另一...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。