技术编号:8481022
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在集成电路的制造过程中,随着特征尺寸的缩小和金属互连层数的增加,对晶圆 表面平整度的要求也越来越高。目前,化学机械抛光是最有效的全局平坦化技术。化学机 械抛光(CMP)是采用旋转的抛光头夹持住晶圆,并将其以一定压力压在旋转的抛光垫上,由 磨粒和化学溶液组成的抛光液在晶圆和抛光垫之间流动,晶圆表面在化学和机械的共同作 用下实现平坦化。抛光后,通常用清洗液对晶圆进行清洗,以去除残留在晶圆表面的抛光浆 料颗粒。 现有的CMP工艺通常采用SiO2抛光液对晶圆进行...
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