技术编号:8483734
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 诸如高效能及小型化的市场需求导致在微电子装置上需要更集成化的半导体组 件。举例来说,需要用于形成较精细电路图案的高度平面化技术,其中使用含有氧化铝或二 氧化硅的微粒的抛光浆液(以下简称为CMP浆液)实行抛光晶圆表面的CMP步骤。 然而,在此CMP步骤中,于抛光后会有各种物质残留于装置上,例如CMP浆液中的 诸如氧化铝及二氧化硅的抛光微粒(以下称为研磨颗粒),经添加来加速抛光的铁硝酸盐 水溶液,经添加来抑制金属腐蚀的抗腐蚀剂,及用于该金属布线的侧面上的经抛...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。