技术编号:8484239
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhance Chemical Vapor Deposit1n,PECVD)是上世纪七十年代发展起来的镀膜方法,该方法能够在低温下发生化学反应,从而获得相应的薄膜,降低基片和生成薄膜的温度,避免基片和生成薄膜性能变坏和结构发生变化,拓展基片和沉积薄膜的应用范围。因此,PECVD薄膜沉积技术受到了人们的广泛重视。光学薄膜是现代光学器件的重要组成部分,其中,多层膜的应用范围较为广泛。薄膜均匀性对多层膜系的制备有重要影响...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。