技术编号：8486083
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 随着2 X纳米技术节点后摩尔时代的临近，器件的结构尺寸越来越小，新制程 和新材料引入独特的图形设计规则和测量要求，如三维快闪存储器3D (3-Dimens iona 1) Flash、鳍型场效应晶体管FinFET (Fin-Field-Effect-Transistor)、沉浸式光刻、光学 邻近校正 OPC (Optical Proximity Correction)、基于设计的测量 DBM (Design Based Metrology)、双重掩膜DP...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。