技术编号：8486239
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明属于结温测量，具体涉及。背景技术 半导体发光器件的结温对器件性能的影响很大，较高的结温可以显著降低器件 的发光效率和使用寿命。目前，用来测量半导体发光器件结温的方法主要是正向电压法 (Forward-voltage method)和传统峰值波长法（Peak-wavelength method)。正向电压 法较为精确，但是测试过程较为繁琐，且实用性较差，因为该方法不适宜用于已封装的器 件结温的测量（Keng Chen, Nadarajah Naren...
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