技术编号:8486438
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 温度、生长应力、生长率等是决定化学气相淀积(CVD)、分子束外延(MBE)、物理气 相沉积(PECVD )等工艺过程中外延晶片薄膜生长质量的关键因素。实时监控晶片的反射率 (分离出生长率、组成成分、表面粗糙度等信息)、温度及晶片表面弯曲度(即晶片表面应力) 等关键信息,有助于优化工艺控制,提高外延材料层的均匀度和良率、减少生产成本、提高 生产效率。 申请号为201110191716. 0的中国专利公开了一种外延材料层特性的测试装置。 通过探针单元向外延材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。