利用浮动和/或偏置多晶硅区域的静电保护系统和方法技术资料下载

技术编号:84879

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技术领域本发明涉及集成电路。更具体地说,本发明提供了一种利用浮动和/或偏置的多晶硅区域进行静电放电(eletrostatic discharge,ESD)保护的系统和方法。作为示例,本发明已被应用于输入/输出(I/O)设备。但是应当认识到本发明有更广阔的应用范围。 背景技术集成电路或“IC”已经从单个硅晶片上制备的少数互连器件发展成为数以百万计的器件。当前的IC提供的性能和复杂度远远超出了最初的预想。为了在复杂度和电路密度(即,在给定的芯片面积上能够封装的器件数目)方面获得进步,最小器件的特征尺寸(又被称为器件“几...
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