技术编号：8488846
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体集成电路中，元件的尺寸已经缩小到次微米级并高密度地集成在半导体 晶片上。为了获得良好的电性，元件之间必须被适当地隔离。场氧化层是集成电路中用于 进行隔离的一种绝缘层，其为将作为衬底的半导体晶片表层氧化形成。 射频横向双扩散金属氧化物半导体（RFLDM0S)目前已经广泛应用于手机基站、广 播电视和微波雷达等领域。由于对高频的追求，使得RFLDM0S的半导体工艺与普通的功率 器件的工艺差别很大。RFLDM0S-般通过减少寄生电容和降低寄生电阻来实现对...
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