技术编号:8488847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本申请是2008年8月15日提出的申请号为200810135193.6的申请的分案申请。本发明涉及对被处理体实施等离子体处理的技术,特别涉及电容耦合型的等离子体处理装置、等离子体处理方法、和具有执行该等离子体处理方法的控制程序的存储介质。背景技术半导体设备、FPD(Flat Panel Display平板显示器)的制造工艺中的蚀刻、堆积、氧化、溅射等处理中,为了对处理气体以比较低的温度进行良好的反应,多利用等离子体。一直以来,在单片式的等离子体处理...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。