技术编号:8488850
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。因为碳化硅(SiC)比硅(Si)具有更大的带隙和近似大一位的击穿场,因此其有希望作为功率器件中采用的材料。作为将要形成在碳化硅衬底上方的器件结构,与具有平面结构的MOSFET相比,能够对具有沟槽栅结构的MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)进行微制造并且能够具有低导通电阻。因此,希望进行实际应用。众所周知,为了形成用于MOSFET的栅绝缘膜,热氧化半导体衬底以形成用作栅绝缘膜的热氧化膜。专利文献I (日本未审专利申请公开N0.2005-116893...
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