技术编号：8488851
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在集成电路制造过程中，在经过多步加工工艺之后，娃片表面已经很不平整，特别 是在金属化引线孔边缘处会形成很高的台阶。通常，台阶的存在会影响沉积生长薄膜的覆 盖效果。沉积薄膜的厚度将沿着孔壁离表面的距离增加而减薄，在底角处，薄膜有可能沉积 不到，该就可能使金属化引线发生断路，从而引起整个集成电路失效。加之随着互连层数的 增加和工艺特征的缩小，对娃片表面平整度的要求也越来越高。尤其随着数字技术已经进 入亚微米阶段，平坦化互连工艺已经变得非常流行。在上世纪90年...
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