技术编号：8488852
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。在硅器件的制造过程中，通常需要涉及离子注入和高温驱入等工艺流程。而这些工艺流程往往会对半导体晶片的表面造成损伤，形成一层损伤层。该损伤层会直接影响到基于该晶片制成的器件的电学性能和可靠性。因此，为了改善被损伤的半导体的表面形貌，提高器件性能，需要对半导体的表面进行处理，以去除所述损伤层。目前常用的一种表面处理方法为通过热氧化在半导体晶片表面形成一层牺牲氧化层，再通过某种工艺流程，例如，湿法腐蚀的方式，去除该牺牲氧化层。但是，上述方案通常对牺牲氧化层的厚度均...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。